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IGBT管驱动单元改变电磁灶输出功率

栏目 :电磁灶_ 新闻        发布时间 : 2018-06-10 17:55:47       
IGBT管驱动单元改变电磁灶输出功率
IGBT管驱动单元由推挽电路与前级比较器IC2D组成,其电路如图3-9所示。
比较器IC2D的负极输人端是输人同步控制电路产生的锯齿波形,比较

IGBT管驱动单元改变电磁灶输出功率


IGBT管驱动单元由推挽电路与前级比较器IC2D组成,其电路如图3-9所示。

IGBT管驱动单元改变电磁灶输出功率.jpg


比较器IC2D的负极输人端是输人同步控制电路产生的锯齿波形,比较器IC2D的正极输入端是PWM调控电路调制出来的基准电压,此电压也称IGBT管导通时间控制电压,正极输人端和负极输人端通过比较器IC2D比较后,在比较器IC2D输出端产生 IGBT管的驱动方波,驱动方波通过由两个极性互补的三极管Q3、Q4组成的推挽电路,将DEVICE输出端的输出脉冲电压提高到18V左右,以满足IGBT管的驱动要求。当比较器IC2D正极输入端的IGBT管导通时间门限电压改变时,驱动电路输出的方波占空比也会随之改变,因此IGBT管的导通时间也会改变。由前面逆变部分电路分析可知,IGBT管的导通时间直接影响电磁灶的输出功率,所以要改变电磁灶输出功率,只要在电路上改变驱动电路比较器IC2D正极输人端的基准电压即可。

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